廣東眾志檢測(cè)儀器半導(dǎo)體芯片老化測(cè)試設(shè)備，分別針對(duì)常規(guī)高溫測(cè)試、高溫壽命測(cè)試、無氧高溫制程、潔凈高溫制程等不同場(chǎng)景，滿足半導(dǎo)體行業(yè)從研發(fā)到生產(chǎn)的全流程測(cè)試需求，覆蓋 90%以上的半導(dǎo)體芯片老化測(cè)試場(chǎng)景。眾志CZ-UT型高溫試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體芯片、IC（晶圓 / CMOS/TSV/MENS）、電子液晶顯示、高精密電子元件、電子陶瓷材料、電工產(chǎn)品等領(lǐng)域的精密烘烤測(cè)試、精密烘干測(cè)試、精密定型測(cè)試等試驗(yàn)場(chǎng)景。

半導(dǎo)體高溫老化試驗(yàn)箱基礎(chǔ)參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格

72升，150升，240升，512升，1000升（可非標(biāo)訂制）溫度范圍：RT~300℃

廣東眾志檢測(cè)儀器半導(dǎo)體芯片老化測(cè)試設(shè)備，分別針對(duì)常規(guī)高溫測(cè)試、高溫壽命測(cè)試、無氧高溫制程、潔凈高溫制程等不同場(chǎng)景，滿足半導(dǎo)體行業(yè)從研發(fā)到生產(chǎn)的全流程測(cè)試需求，覆蓋 90% 以上的半導(dǎo)體芯片老化測(cè)試場(chǎng)景。眾志CZ-UT型高溫試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體芯片、IC（晶圓 / CMOS/TSV/MENS）、電子液晶顯示、高精密電子元件、電子陶瓷材料、電工產(chǎn)品等領(lǐng)域的精密烘烤測(cè)試、精密烘干測(cè)試、精密定型測(cè)試等試驗(yàn)場(chǎng)景。例如在某頭部半導(dǎo)體企業(yè)的芯片封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，該設(shè)備用于芯片高溫定型測(cè)試，幫助企業(yè)提升芯片穩(wěn)定性，良品率提升 2%。

半導(dǎo)體高溫老化試驗(yàn)箱特點(diǎn) 

　　●寬溫域精準(zhǔn)控制：提供兩種溫度范圍選擇，分別為室溫+10°C~+200°C和室溫+10°C~+300°C，溫度分辨率達(dá) 0.1°C，溫度波動(dòng)控制在±0.5°C 內(nèi)，≤100°C 時(shí)溫度偏差±1.5°C，≤200°C 時(shí)溫度偏差±2°C，≤300°C時(shí)溫度偏差±3°C，溫控精度比行業(yè)平均水平高 15%，確保測(cè)試環(huán)境的高精度穩(wěn)定性；

　　●高效升溫設(shè)計(jì)：升溫速率可達(dá)≤40min（小容積型號(hào)）至≤60min（大容積型號(hào)），搭配軍工級(jí)加熱元件，結(jié)合CFD仿真智能PID算法優(yōu)化風(fēng)道，實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)修正，升溫效率比傳統(tǒng)設(shè)備快25%，節(jié)能 40%，年節(jié)省電費(fèi)約1.2萬元（按每天運(yùn)行 8 小時(shí)，工業(yè)電價(jià)1元/度計(jì)算）；

　　●靈活樣品配置：配備可調(diào)式樣品架，最小調(diào)節(jié)間距 45mm，托盤采用不銹鋼鋼筋彎折后焊接成托盤架，標(biāo)準(zhǔn)配置2片托盤架，可滿足不同尺寸樣品的測(cè)試需求，適配80%以上的半導(dǎo)體芯片樣品尺寸；

　　●便捷測(cè)試接口：配置φ50mm測(cè)試孔1個(gè)，配硅膠膠塞及孔蓋（部分型號(hào)配孔蓋），方便外接測(cè)試設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控，支持90%以上的行業(yè)通用測(cè)試設(shè)備對(duì)接。

  執(zhí)行與滿足標(biāo)準(zhǔn)及試驗(yàn)方法 

　   ●GB/T 2423.2-2008 試驗(yàn) Bb: 高溫

　　●GJB 150.3A-2009 高溫試驗(yàn)

　　●IEC60068-2-2:2007 試驗(yàn) Bb: 高溫

　　●JEDEC JESD22-A108 高溫工作壽命試驗(yàn)

　　●GB/T 11158-1989 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

　　●GB/T 5170.2-2017 溫度試驗(yàn)設(shè)備