半導(dǎo)體制造中的膜厚測量——大塚電子膜厚儀的應(yīng)用實例

半導(dǎo)體制造工藝涉及數(shù)十層薄膜的沉積、刻蝕與拋光，每層薄膜的厚度偏差都可能導(dǎo)致芯片性能下降甚至報廢。大塚電子的膜厚測量設(shè)備在半導(dǎo)體各工序中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，從裸晶片到配線工序，形成了一套完整的光學(xué)檢測解決方案。

在薄膜沉積工藝中，Smart膜厚儀可用于測量光刻膠、SiO?、Si?N?、High-k介質(zhì)等薄膜的厚度，確?？涛g與沉積工藝窗口精準(zhǔn)可控。設(shè)備采用光譜反射干涉法，能夠以非接觸方式精確測量納米級薄膜的厚度，測量范圍覆蓋1 nm至92 μm。在CMP研磨過程中，大塚電子可提供對研磨工藝的實時監(jiān)控方案，確保研磨后晶圓表面膜厚的均勻性。

大塚電子還在真空環(huán)境下配備了在線嵌入式膜厚檢測設(shè)備。通過使用各種法蘭對應(yīng)的耐真空光纖，可以在高真空環(huán)境下測量反射和透射光譜。膜厚運算采用大塚電子的算法，不易受到基膜上下移動的影響，可作為實時監(jiān)視器使用。在半導(dǎo)體前道工序中，從成膜工藝到晶圓研磨過程監(jiān)控，大塚電子提供了涵蓋大氣、真空等復(fù)雜環(huán)境條件下的完整在線嵌入式厚度解決方案。這些技術(shù)的應(yīng)用，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提升良率和生產(chǎn)效率提供了有力保障。