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與當(dāng)前市場(chǎng)上成熟且廣泛應(yīng)用的硅基半導(dǎo)體不同，化合物半導(dǎo)體是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同樣來(lái)源于第四族 (Group IV) 的兩個(gè)及以上元素組成的化合物。典型的化合物半導(dǎo)體包括ZnSe (II-VI)、GaAs (III-V)、GaN (III-V)、InP (III-V)、SiC (IV-IV) 和SiGe (IV-IV)。這些化合物半導(dǎo)體在電子學(xué)和光電子學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，并且由于其特殊的能帶結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)，它們?cè)谀承┓矫姹憩F(xiàn)出優(yōu)于硅的特點(diǎn)。因此，化合物半導(dǎo)體在高頻電子器件、光電子器件和高溫高功率電子器件等領(lǐng)域中具有重要的地位和應(yīng)用前景。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)主要?dú)w因于GaAs、InP、SiC 和GaN 等化合物半導(dǎo)體在LED、光電器件、射頻器件和功率器件等在通訊、照明、新能源汽車和電力供應(yīng)等方面的廣泛應(yīng)用。GaAs 和InP 是第二代半導(dǎo)體材料的代表，而SiC 和GaN 是第三代半導(dǎo)體材料的代表，它們具備出色的高頻性能和高溫性能，因此備受關(guān)注。

基于行業(yè)前瞻維度，第三代化合物半導(dǎo)體以其優(yōu)良的電性能、熱性能和化學(xué)穩(wěn)定性，受到了功率半導(dǎo)體領(lǐng)域在高溫、高壓、高頻、大功率、耐輻照等應(yīng)用方面的關(guān)注。隨著第三代化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造技術(shù)的提高，特別是新能源汽車、5G 通訊、軌道交通和特高壓輸電等方面需求的增長(zhǎng)，第三代化合物半導(dǎo)體功率器件正處于快速發(fā)展階段。然而，受限于第三代化合物半導(dǎo)體材料和器件工藝水平，進(jìn)一步的大規(guī)模應(yīng)用仍存在眾多難點(diǎn)，特別是在高質(zhì)量材料可控生長(zhǎng)和高性能、高可靠性器件制造及降低成本方面。例如，與硅基半導(dǎo)體技術(shù)相比，第三代化合物半導(dǎo)體的晶圓質(zhì)量仍存在很大的改進(jìn)空間。特別是，晶圓的缺陷尚待進(jìn)一步減少，材料的均勻性和重復(fù)性也未達(dá)到大規(guī)模量產(chǎn)的期望值。