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碳化硅拋光液 MYH-SCPS800

碳化硅拋光液簡(jiǎn)介

MYH-SCPS800 是第三代半導(dǎo)體碳化硅制程核心精密拋光耗材，依托化學(xué)機(jī)械協(xié)同拋光技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片 / 器件原子級(jí)超凈平坦化，精準(zhǔn)消除深層加工損傷，嚴(yán)控表面粗糙度與面型精度，為碳化硅基半導(dǎo)體、光電器件高性能應(yīng)用提供工藝支撐。

超精拋光（行業(yè)術(shù)語(yǔ)）：通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控化學(xué)腐蝕與納米機(jī)械研磨協(xié)同作用，去除加工刀紋、變質(zhì)層及亞表面損傷，表面粗糙度控制在原子級(jí)（Ra≤0.05nm），實(shí)現(xiàn)：

1. 低缺陷，大幅提升器件成品率；

2. 保障襯底外延生長(zhǎng)原子級(jí)均勻性，適配超芯片制造；

3. 優(yōu)化精密部件表面性能，提升耐磨性、密封性與光電傳輸穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 磨料超精：磨料，粒徑分布極窄，原子級(jí)精準(zhǔn)去除，無(wú)劃痕、無(wú)亞表面損傷；

2. 協(xié)同高效：化學(xué)腐蝕與磨料切削精準(zhǔn)配比，拋光效率較常規(guī)產(chǎn)品提升 40% 以上；

3. 懸浮超穩(wěn)：分散技術(shù)，久置不分層不團(tuán)聚，拋光面型一致性≤3nm；

4. 環(huán)保超凈：高純度水性體系，無(wú)有害殘留、無(wú)離子污染，純水可快速?zèng)_凈；

5. 適配性廣：兼容各類(lèi)碳化硅制品，適配單面 / 雙面拋光機(jī)、CMP 拋光設(shè)備；

6. 面型精控：拋光后無(wú)翹曲、塌邊、中心凹陷，精準(zhǔn)把控 TTV、Bow、Warp 等核心面型參數(shù)。

應(yīng)用范圍

核心用于碳化硅材料粗拋、精拋及超精密終拋，實(shí)現(xiàn)低缺陷、原子級(jí)平坦化，適用于：

1. 碳化硅晶片：4H/6H-SiC 高純度單晶襯底、GaN on SiC 外延片，2/4/6/8 寸晶圓片，晶片減薄后超凈修復(fù)；

2. 碳化硅器件：車(chē)規(guī)級(jí)功率器件、高頻射頻器件襯底，光電探測(cè)器 / 激光器核心部件，高精度 MEMS 傳感器芯片；

3. 碳化硅結(jié)構(gòu)件：超精密機(jī)械密封件、耐強(qiáng)腐蝕泵閥耐磨件，航空航天 / 耐高溫結(jié)構(gòu)件，光學(xué)儀器光學(xué)元件超鏡面拋光；

4. 其他硬脆材料：藍(lán)寶石外延襯底、氮化鎵晶片，高純度石英玻璃、精密氧化鋯陶瓷，半導(dǎo)體設(shè)備精密陶瓷部件超凈拋光。

常見(jiàn)類(lèi)型

· 碳化硅晶片：4H/6H-SiC 高純度單晶襯底、GaN on SiC外延片及 2/4/6/8 寸晶圓片粗磨，晶片減薄后超凈粗磨修復(fù)；

·  碳化硅器件：車(chē)規(guī)級(jí)功率、高頻射頻器件襯底，光電 / 激光部件、高精度 MEMS 芯片碳化硅基底粗磨；

·  碳化硅結(jié)構(gòu)件：超精密機(jī)械密封件、耐強(qiáng)腐蝕耐磨件，航工 / 耐高溫件、光學(xué)元件粗磨成型；

·  其他硬脆材料：藍(lán)寶石外延襯底、氮化鎵晶片，高純度石英玻璃、精密陶瓷及半導(dǎo)體設(shè)備陶瓷部件粗磨預(yù)處理。儲(chǔ)存與使用

1. 溫度：2℃~28℃，嚴(yán)格防凍防高溫，遠(yuǎn)離明火熱源、陽(yáng)光直射；

2. 儲(chǔ)存：密封避光包裝，存放于干燥潔凈通風(fēng)恒溫環(huán)境，開(kāi)封后盡快使用，剩余料液密封冷藏；

3. 使用：專(zhuān)業(yè)設(shè)備充分?jǐn)嚢钃u勻，可按需精準(zhǔn)稀釋?zhuān)钆溥M(jìn)口專(zhuān)用拋光墊，拋光后立即用高純度純水沖洗無(wú)殘留。