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DISC-IBE-150C/200C
435
北京市
2024/4/7 8:52:42
產(chǎn)品簡介
應(yīng)用方向：科研與教學
產(chǎn)品優(yōu)勢：負角度刻蝕降低反污染，熱態(tài)、冷態(tài)兩種中和系統(tǒng)，刻蝕腔體前后開門
產(chǎn)品配置：
★離子源種類：考夫曼離子源
★離子源口徑：Φ160mm/220mm
★中和方式：燈絲、冷態(tài)等離子體橋
★樣片數(shù)量及尺寸：1片Φ100mm/150mm樣品
★刻蝕材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。
★刻蝕腔體：高真空系統(tǒng)
★刻蝕不均勻性：±3%-±6%
★刻蝕速率：10-500nm/min（視具體材料與工藝）
★工作臺：可旋轉(zhuǎn)，可自傳，可調(diào)距離，包含水冷
★工藝氣路：1-2路
★束流檢測：法拉第筒在線檢測
★終點檢測控制：可選配質(zhì)譜儀
★操作模式：全自動+半自動控制
選型參考：DISC-IBE-150C（離子源口徑160mm）；DISC-IBE-200C（離子源口徑220mm）
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移動站：離子束刻蝕機（IBE）
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