MORITEX 茉麗特高倍率遠(yuǎn)心鏡頭：Mini/Micro LED 產(chǎn)線核心光學(xué)賦能方案

mini/Micro LED設(shè)備

mini/Micro LED的生產(chǎn)工藝一般與半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝相似。除了硅晶圓，有時也會使用玻璃基板，在基板上形成許多LED元件，使用激光切割機或切割設(shè)備等來切割不必要的區(qū)域以形成獨立的mini LED芯片。LED芯片配置在基板上。在這個步驟中，使用接合裝置或線接合技術(shù)將mini LED芯片連接到底板上。這樣，電信號就會被提供給mini LED芯片。在接合的mini LED芯片上形成電極。電極的作用是提供電流，使mini LED芯片發(fā)光。

mini LED檢測設(shè)備是為了對mini LED的質(zhì)量和性能進(jìn)行高精度評價而設(shè)計的，在接合前可以篩選出不合格品和進(jìn)行質(zhì)量管理。LED檢測設(shè)備需要非常高速的檢測。設(shè)備可以進(jìn)行高速數(shù)據(jù)處理和圖像分析，在短時間內(nèi)檢測大量的mini LED。這樣可以提高生產(chǎn)效率，實現(xiàn)高效生產(chǎn)。這些設(shè)備具有進(jìn)行各種檢測和評價的多重測試功能。這樣就可以同時評估LED的亮度、色溫、均勻性、對比度、像素缺陷、背照燈效率等各種參數(shù)。mini LED檢測設(shè)備具有靈活性和擴展性，可應(yīng)對各種mini LED尺寸、形狀和顏色圖案，針對這些應(yīng)用，可以與與晶圓檢測要求的高亮視野一樣，使用帶同軸的遠(yuǎn)心鏡頭。近年來，隨著大型CMOS元件的推出，相應(yīng)的芯片尺寸不斷擴大，檢測精度也不斷提高，市場對高倍率的需求越來越大。為滿足市場趨勢和需求，茉麗特推出了多款大靶面高倍率遠(yuǎn)心鏡頭。這些檢測設(shè)備中的鏡頭兼具高分辨率、高倍率、大靶面、高光學(xué)性能、均勻照明、耐久性和適應(yīng)嚴(yán)酷環(huán)境的特性。mini LED屏具有非常高的像素密度，相應(yīng)地，在做檢測時會需要更高分辨率的鏡頭。因此，在鏡頭設(shè)計之時，我們需要重點考慮如何捕捉呈現(xiàn)微小像素和顯示屏的詳細(xì)特征。

行業(yè)應(yīng)用痛點

Mini/Micro LED 芯片尺寸微米級（Micro LED 單顆芯片僅幾微米），巨量轉(zhuǎn)移對位、晶圓外觀 AOI 檢測、像素良率篩查、基板貼合定位存在四大成像難題：

普通鏡頭透視畸變，Z 軸微小高度波動就造成尺寸測量、偏移判定誤差； 

紅藍(lán)綠多波段光源切換易產(chǎn)生色差、邊緣紫邊，頻繁對焦拖慢節(jié)拍； 

微小劃痕、顆粒、死燈、偏移缺陷需亞微米分辨率檢出； 

大尺寸晶圓 / 基板飛拍拼接，要求鏡頭中心、邊緣成像一致性。

推薦產(chǎn)品

高倍率遠(yuǎn)心鏡頭MML-HR-35/43系列

大靶面遠(yuǎn)心鏡頭MML-SR系列

定制鏡頭

1、MML-HR 大靶面高分辨率系列（主力量產(chǎn)機型）

適配巨量轉(zhuǎn)移高速對位、整板 AOI 全檢

主流倍率：3X、5X（MML3-HR80DVI、MML5-HR80DVI） 

精度性能：全開光圈分辨率達(dá)2μm~2.6μm，物方色差控制 3μm 內(nèi)，復(fù)消色差設(shè)計，RGB 光源切換無需重新對焦； 

適配配置：匹配 65MP 大靶面相機、3.2μm 小像元傳感器，內(nèi)置同軸光路，視場亮度均勻性優(yōu)異； 

優(yōu)勢：極低畸變、中心邊緣 MTF 一致性好，適配 2/4/6 寸晶圓、驅(qū)動基板飛拍拼圖檢測，提升整線檢測效率。 

2、SOD-X 超高倍率顯微遠(yuǎn)心系列（微觀檢測）

單顆 Micro LED 芯片微觀復(fù)檢、電極瑕疵、間隙測量

倍率規(guī)格：10X、20X，搭配擴倍組件最高可達(dá) 40X； 

特性：高 NA 數(shù)值孔徑、長工作距離、1.5μm 級超高解析力，緊湊型鏡身適配狹小設(shè)備腔體； 

適用：芯片剝離后單點微觀質(zhì)檢、微間隙尺寸精密量測。 

3、MTL 雙遠(yuǎn)心系列（高精度尺寸測量）

芯片間距、凸點高度、基板平面度閉環(huán)測量

雙側(cè)平行光路消除透視誤差，畸變＜0.05%，滿足微米級尺寸溯源測量要求。

三、針對 Mini/Micro LED 設(shè)備四大賦能價值

1、巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備：提升對位良率與稼動率

遠(yuǎn)心恒定倍率消除透視誤差，精準(zhǔn)識別晶圓、臨時基板 Mark 定位點，億萬級芯片轉(zhuǎn)移偏移量管控至 ±3μm 以內(nèi)；大靶面鏡頭單次視野更大，減少平臺移動次數(shù)，節(jié)拍提速、轉(zhuǎn)移良率大幅提升，是國內(nèi)頭部轉(zhuǎn)移設(shè)備標(biāo)配光學(xué)方案。

2、AOI 檢測設(shè)備：微小缺陷全覆蓋檢出

可穩(wěn)定識別芯片缺晶、劃痕、表面顆粒、電極臟污、像素死燈、排布偏移等微米級瑕疵；同軸均勻光路弱化反光干擾，避免漏檢、誤判，適配前段外延、中段轉(zhuǎn)移、后段封裝全制程質(zhì)檢。

3、多光源兼容設(shè)計，簡化設(shè)備電控邏輯

復(fù)消色差光學(xué)結(jié)構(gòu)，紅 / 綠 / 藍(lán)多波段切換無焦面偏移，省去自動對焦機構(gòu)，精簡設(shè)備結(jié)構(gòu)、降低調(diào)試難度，適配分光式色差缺陷檢測工藝。