在半導體制造工藝中，光刻膠去除（Ashing）和表面預處理（Descum）是決定器件良率與性能的關鍵環(huán)節(jié)。荷蘭Trymax Semiconductor Equipment公司推出的NEO 2000系列等離子除膠系統(tǒng)，憑借其靈活的工藝配置與高性價比的擁有成本，在8英寸及以下晶圓加工市場中占據(jù)獨特地位。

一、設備平臺與自動化參數(shù)

NEO2000的設計哲學強調(diào)“靈活配置”與“高產(chǎn)出”。其傳輸平臺支持100mm、150mm、200mm（即4英寸至8英寸）襯底的兼容處理，且不同尺寸間的切換無需更換硬件，這一特性對多規(guī)格生產(chǎn)的MEMS和化合物半導體產(chǎn)線尤為重要。

在自動化與物料搬運方面，設備提供多種配置選項：

裝載端口（Loadport） ：可選配3或4個開放式Cassette工位，或2個集成SMIF（標準機械接口）端口，以滿足不同潔凈等級需求。

機械手：搭載5軸雙臂機械手，配合專用襯底夾持器，機械傳片速率（Throughput）可達200片/小時（wph） 以上，顯著提升生產(chǎn)效率。

控制系統(tǒng)：基于Windows工業(yè)計算機的全數(shù)字控制架構，支持DeviceNet及以太網(wǎng)通信，符合SEMI S2-01、S8-01及CE歐盟安全標準。

二、核心工藝腔體與等離子源配置

工藝腔體是決定去膠效果的核心。NEO2000的最大技術亮點在于其可配置的等離子源系統(tǒng)，用戶可根據(jù)具體工藝需求選擇以下模塊：

等離子源類型頻率/技術特點典型應用場景

微波源2.45GHz，下游等離子體設計，損傷風險低對襯底損傷敏感的低壓Descum、光刻膠去除

射頻源（RF）13.56MHz，提供較強的離子轟擊能量高劑量離子注入后光刻膠去除、各向同性刻蝕

雙源（MW/RF Bias）微波與射頻偏壓組合兼顧高灰化速率與方向性控制，適用于復雜封裝工藝

DCP（雙射頻直接耦合）RF/RF直接耦合等離子體針對特定材料（如SiN、SiC）的刻蝕應用

這種模塊化設計使NEO2000不僅能處理標準的光刻膠灰化，還能勝任氮化硅/碳化硅刻蝕、TaSi刻蝕等進階工藝。

三、工藝性能關鍵指標

灰化速率：針對體光刻膠（Bulk Resist），系統(tǒng)可實現(xiàn)大于10µm/min的高速去除能力，同時通過集成的卡盤風冷回路，可在大范圍溫度區(qū)間內(nèi)自動切換，確保低溫Descum與高溫體膠去除的雙重需求。

均勻性與重復性：設備提供優(yōu)異的片內(nèi)均勻性（Within-wafer uniformity）和片間重復性（Wafer-to-wafer repeatability），這對于先進封裝中聚合物（如PI、BCB、PBO）的去除至關重要。

四、適用工藝與應用領域

NEO2000的應用覆蓋從前道晶圓制造到后道先進封裝的全流程：

前道制程：Light Etching（輕刻蝕）、Descum Strip、PR Ashing（光刻膠灰化）、離子注入后去膠。

先進封裝與MEMS：Bumping前的Descum處理、3D IC通孔清洗、以及射頻濾波器（BAW/SAW）制造中的光刻膠去除。

化合物半導體：已成功應用于SiC（碳化硅）和LiTaO3（鉭酸鋰）襯底上的去膠工藝，服務于5G射頻和功率電子市場。

廣泛的應用領域

Trymax 擁有豐富的等離子體技術產(chǎn)品組合，可滿足客戶及各類應用的需求。

光刻膠體相灰化

高劑量離子注入剝離

去膠

非關鍵性各向同性刻蝕

DRIE 后腔體或垂直通孔（TSV）中的聚合物去除

犧牲層剝離

各種表面處理

光刻膠紫外線固化

紫外線電荷擦除