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上海晶品眾半導(dǎo)體 核心業(yè)務(wù)
北崎國際貿(mào)易（北京）有限公司 供貨
北崎國際貿(mào)易（北京）有限公司 供貨
上海晶品眾半導(dǎo)體是一家專注于化合物半導(dǎo)體（如碳化硅SiC、氮化鎵GaN）及特種工藝的制造企業(yè)，主要面向功率器件和射頻芯片領(lǐng)域。
核心產(chǎn)品與工藝：
公司主要從事6/8英寸SiC肖特基二極管（SBD）、MOSFET，以及GaN HEMT的晶圓代工。核心工藝包括：離子注入（高溫/多能量）、高溫激活退火（>1600℃）、厚膜柵氧生長(zhǎng)、金屬歐姆接觸及鈍化層沉積。
關(guān)鍵設(shè)備：
注入與退火：使用高溫離子注入機(jī)（如Axcelis、Nissin）、高溫退火爐（如高溫RTP或箱式爐）。
薄膜與刻蝕：PECVD、LPCVD用于沉積氧化硅/氮化硅；采用ICP-RIE（感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)）進(jìn)行SiC/GaN的干法刻蝕。
柵氧與金屬：使用原子層沉積（ALD）或爐管生長(zhǎng)高質(zhì)量柵氧；電子束蒸發(fā)（E-beam）或磁控濺射沉積金屬電極（如Ni/Ti/Al）。
檢測(cè)：配備原子力顯微鏡（AFM）、X射線光電子能譜（XPS）及高壓I-V/C-V測(cè)試系統(tǒng)。
整體來看，其產(chǎn)線需耐高溫、高能注入及低損傷刻蝕能力，工藝復(fù)雜度高于傳統(tǒng)硅基線。
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