一、 品牌背書：專注 PVD 設(shè)備的“老牌勁旅”

二、 型號深度剖析：DE600DL 的五大核心優(yōu)勢

• 本底真空：極限真空度可達(dá) 3×10?? Torr（約 4×10?? Pa）量級，高真空潔凈度有效減少了水汽、碳?xì)浠衔锏入s質(zhì)污染，為制備高純度薄膜（如超導(dǎo)薄膜、高遷移率半導(dǎo)體）提供了基礎(chǔ)保障 。

• 多源兼容：系統(tǒng)標(biāo)配及可選配多達(dá) 6-12 個磁控濺射源，支持直流 (DC)、脈沖直流、射頻 (RF) 及 HiPIMS（高功率脈沖磁控濺射）等多種電源模式 。
• 工藝多樣：可輕松實現(xiàn)多層膜堆疊、共濺射（制備合金或復(fù)合薄膜）以及反應(yīng)濺射（如沉積 Al?O?、TiN 等化合物），滿足復(fù)雜的材料設(shè)計需求。

• 溫控精準(zhǔn)：樣品臺支持旋轉(zhuǎn)與加熱（最高可達(dá) 600℃，可選 900℃），并能配合冷卻功能，模擬不同工藝溫度下的薄膜生長環(huán)境 。
• 均勻性優(yōu)異：通過優(yōu)化的靶基距調(diào)節(jié)與樣品旋轉(zhuǎn)機(jī)制，膜厚均勻性可控制在 ±3%? 以內(nèi)，確保了實驗數(shù)據(jù)的可重復(fù)性與中試放大的成功率 。

• 全自動控制：采用 PLC + PC? 兩級控制系統(tǒng)，可實現(xiàn)一鍵抽真空、工藝參數(shù)自動運行與數(shù)據(jù)記錄，大幅降低人工操作誤差，提升實驗效率 。

• 預(yù)真空進(jìn)樣（Load Lock）：可選配預(yù)真空室，實現(xiàn)樣品快速進(jìn)出，避免主腔室頻繁暴露大氣，特別適合需要高頻次換樣的研發(fā)場景 。
• 輔助工藝：支持集成離子束清洗（預(yù)清洗基片）、RF 等離子體清洗，以及濺射楔形膜等特殊工藝模塊 。
   

  

   

三、 典型應(yīng)用場景推薦

四、 選型與配置建議

1. 電源選配：若涉及絕緣體（如 Al?O?）或追求高致密性薄膜，務(wù)必選配 RF 電源或 HiPIMS 電源。
2. 基片尺寸：系統(tǒng)支持 2-12 英寸基片，建議根據(jù)最大預(yù)期樣品尺寸預(yù)留空間，避免后期無法兼容大尺寸晶圓 。
3. 氣體系統(tǒng)：對于反應(yīng)濺射（如制備氮化物/氧化物），需確認(rèn)多路質(zhì)量流量計（MFC）的配置，以實現(xiàn)精確的氣體比例控制。