原位紅外電化學(xué)ATR可以獲得電極表面吸附物種的取向、排列、覆蓋等狀態(tài)信息，是從分子水平研究電極過程的一種有效手段，其中衰減全反射模式的表面增強(qiáng)光譜，由于表面選律簡單、表面信號強(qiáng)、傳質(zhì)容易以及受本體溶液干擾小的優(yōu)點(diǎn)，特別適合實時檢測電極表面動態(tài)過程。

該原位反應(yīng)系統(tǒng)引入了三電極和氣體接口，可以在施加外偏壓的條件下，向溶液中通入CO2、N2等反應(yīng)氣體，實現(xiàn)光（電）催化原位紅外光譜表征。在此基礎(chǔ)上，通過在單晶硅表面蒸鍍（或濺射等）金層，引入表面等離子共振波，實現(xiàn)表面增強(qiáng)效應(yīng)，增強(qiáng)該原位表征的信號。

型號：CIS-IRATR-PEC-T200

產(chǎn)品參數(shù)

溫度：常溫-200℃；

加熱方式：加熱套加熱；

壓力：常壓，可做密閉體系；

體系:電催化，光催化，熱催化；

樣品：滴涂樣品；懸濁液，

最少溶液量：30ml；

攪拌方式：磁力攪拌；

晶體：選配（鍺硅晶體（pH1-14）適用于常溫，硒化鋅晶體（pH5-9）適用于加熱體系）。