三區(qū)標(biāo)準(zhǔn)分工：

前溫區(qū)：進(jìn)氣端，低溫預(yù)加熱，脫附樣品水汽、雜質(zhì)，緩慢升溫避免樣品熱沖擊；

中溫區(qū)：核心恒溫段，工藝目標(biāo)高溫，用于燒結(jié)、氣相沉積、熱解、晶體生長；

后溫區(qū)：出氣端，補(bǔ)償端部熱散失或設(shè)置降溫梯度，防止樣品驟冷開裂，也可做二次熱處理。

控溫核心優(yōu)勢(shì)：

三區(qū)獨(dú)立補(bǔ)償散熱：兩端溫區(qū)可略高于中區(qū)，抵消爐管兩端法蘭散熱，大幅拉長均勻恒溫區(qū)間；

軸向梯度溫場(chǎng)：三區(qū)設(shè)置不同溫度，滿足 CVD、熱解、定向晶體生長；

控溫精度±1℃，每區(qū)可獨(dú)立編輯 50 段升降溫程序，互不干擾。

三溫區(qū)管式爐的用途：

溫度梯度工藝：CVD/CVD薄膜生長、晶體/納米線/碳纖維梯度生長。

長樣品均勻處理：三段同設(shè)一溫度→合成一個(gè)長恒溫區(qū)，適合長棒/管材退火、鋰電正極燒結(jié)、陶瓷梯度燒結(jié)。

分區(qū)反應(yīng)：不同溫區(qū)放不同前驅(qū)體，一段預(yù)熱、二段反應(yīng)、三段后處理，用于催化、材料熱解等。