內(nèi)核：CdTe（發(fā)光中心，可見(jiàn)光–近紅外發(fā)射）
中間殼：CdSe（緩沖晶格失配，減少缺陷）
外層殼：ZnS（寬帶隙鈍化，大幅提升穩(wěn)定性與量子產(chǎn)率）
油溶性產(chǎn)品表面被疏水配體（油酸、三辛基膦等）修飾，可溶于甲苯、氯仿、環(huán)己烷等非極性溶劑，具有高熒光量子產(chǎn)率、窄半高寬、優(yōu)異光熱穩(wěn)定性。
鎘源：CdO、乙酸鎘 Cd (Ac)?、硬脂酸鎘
碲源：TOP-Te（三辛基膦碲）、TBP-Te
硒源：TOP-Se（三辛基膦硒）
鋅源：Zn (Ac)?、硬脂酸鋅 ZnSt?
硫源：TOP-S、十二硫醇、硫粉
溶劑 / 配體：十八烯（ODE）、三辛基氧化膦（TOPO）、油酸（OA）、十六胺（HDA）
三口瓶中加入 ODE、TOPO、CdO 與油酸，氬氣氛圍下 120℃ 脫氣除水。
升溫至 280–320℃，形成 Cd - 油酸配合物。
快速注入 TOP-Te 前驅(qū)體，反應(yīng) 1–5 min，通過(guò)時(shí)間控制粒徑。
降溫終止，得到 CdTe 核 QDs。
將 CdTe 核溶液除氧，升溫至 180–220℃。
交替緩慢滴加 Cd 前驅(qū)體（Cd-OA）與 Se 前驅(qū)體（TOP-Se）。
每步間隔 10–20 min，溫和生長(zhǎng)，用于緩沖晶格失配，降低表面缺陷。
繼續(xù)升溫至 220–260℃。
交替滴加 Zn 前驅(qū)體（硬脂酸鋅）與 S 前驅(qū)體（TOP-S）。
緩慢外延生長(zhǎng)，形成寬禁帶 ZnS 外殼，大幅抑制熒光猝滅，提升穩(wěn)定性。
加入乙醇 / 異丙醇沉淀量子點(diǎn)。
離心棄上清，甲苯 / 氯仿重分散。
重復(fù) 2–3 次，得到高純油溶性 CdTe/CdSe/ZnS。
CdTe 核：提供 550–800 nm 可見(jiàn)–近紅外熒光。
CdSe 夾層：匹配 CdTe 與 ZnS 晶格，大幅降低缺陷態(tài)。
ZnS 外殼：阻擋環(huán)境猝滅，抗光漂白、耐熱、耐化學(xué)腐蝕。
油溶性配體：在有機(jī)溶劑中高度分散，適合有機(jī)光電器件加工。
直接用作 QLED 發(fā)光層材料，色純度高（FWHM < 25 nm）。
廣色域覆蓋 BT.2020，用于電視、顯示器背光。
油溶性可與有機(jī)傳輸層良好兼容，器件效率高。
細(xì)胞熒光成像、活體小動(dòng)物熒光成像
免疫熒光、流式細(xì)胞術(shù)多色標(biāo)記
優(yōu)勢(shì)：抗光漂白、斯托克斯位移大、熒光壽命長(zhǎng)
作為光吸收敏化劑，拓寬太陽(yáng)光譜利用范圍。
用于鈣鈦礦電池界面修飾，提升載流子傳輸與穩(wěn)定性。
響應(yīng)范圍覆蓋可見(jiàn)光至近紅外。
用于微弱光檢測(cè)、紅外成像、光譜探測(cè)器件。
可見(jiàn)光驅(qū)動(dòng)催化：
有機(jī)污染物降解
光解水制氫
CO? 還原
多層結(jié)構(gòu)利于電子 - 空穴分離，催化效率更高。
高亮度、窄發(fā)射、不易仿制。
用于證件、包裝的隱形防偽油墨。
重金屬離子（Hg2?、Cu2?、Pb2?）
生物小分子（葡萄糖、H?O?、生物硫醇）
氣體傳感（H?S、NO? 等）
用于光開(kāi)關(guān)、光學(xué)限幅、倍頻器件、生物光子學(xué)芯片。
熒光量子產(chǎn)率高（可達(dá) 80% 以上）
發(fā)射波長(zhǎng)可調(diào)：550–800 nm
油溶性好，適配有機(jī)體系加工
多層核殼，穩(wěn)定性遠(yuǎn)超單核 CdTe
可輕松轉(zhuǎn)為水溶性，跨領(lǐng)域適用
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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