產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Vcsel芯片隱裂(cracks)、InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè)
Vcsel芯片氧化孔徑測(cè)量
法拉第激光隔離器,Faraday Isolator近紅外無(wú)損檢測(cè)
die chip 失效分析
紅外透射Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量
硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底無(wú)損紅外檢測(cè)
太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)
詳細(xì)介紹
近紅外檢測(cè)應(yīng)用實(shí)例
§Vcsel芯片隱裂(cracks)、InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè) §Vcsel芯片氧化孔徑測(cè)量 §法拉第激光隔離器,Faraday Isolator近紅外無(wú)損檢測(cè) §die chip 失效分析 §紅外透射Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量 §硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底無(wú)損紅外檢測(cè) §太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)
n晶圓觀察完畢后,依次進(jìn)行如下操作:
1. 將物鏡旋轉(zhuǎn)至最小倍率(5X)。
2. 將晶圓從載物臺(tái)下取下。
3. 將載物臺(tái)調(diào)整至中心位置。
4. 關(guān)閉顯微鏡光源。
5. 關(guān)閉顯微鏡電源。
n另外,使用顯微鏡時(shí)需注意如下幾點(diǎn):
1. 物鏡切換時(shí),依次從5X調(diào)整至10X、20X、50X,最后至100X,禁止從5X直接切換為100X。
2. 顯微鏡使用完成,一定要關(guān)閉顯微鏡光源。
3. 其他未介紹的顯微鏡按鈕開關(guān)是設(shè)備調(diào)試時(shí)使用,正常情況下禁止使用。

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