隨著SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，功率器件的開(kāi)關(guān)速度、工作頻率大幅提升，對(duì)電流測(cè)量的高頻響應(yīng)、精準(zhǔn)度與空間適配性提出了更高要求。英國(guó)PEM羅氏線圈憑借高頻帶寬、微型設(shè)計(jì)與高可靠性，成為寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與測(cè)試的核心工具，助力行業(yè)技術(shù)突破。

寬禁帶半導(dǎo)體器件（SiC/GaN）的開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納秒級(jí)，開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生高頻電流尖峰、反向恢復(fù)電流等瞬態(tài)信號(hào)，傳統(tǒng)電流傳感器因帶寬不足、體積過(guò)大，無(wú)法精準(zhǔn)捕捉這些瞬態(tài)信號(hào)，也無(wú)法適配器件緊湊的安裝空間。而PEM羅氏線圈的高頻系列產(chǎn)品（如CWT Ultra Mini HF、CWT HF），帶寬可達(dá)30MHz，可精準(zhǔn)捕捉納秒級(jí)瞬態(tài)電流，測(cè)量誤差控制在±0.2%以內(nèi)，為器件開(kāi)關(guān)損耗、EMI性能優(yōu)化提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

在SiC/GaN器件測(cè)試中，PEM羅氏線圈的微型設(shè)計(jì)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。CWT Ultra Mini系列線圈線徑僅1.2mm，可輕松嵌入TO-220、TO-247等封裝的半導(dǎo)體器件管腳間隙，也可纏繞在PCB板上的細(xì)小導(dǎo)體上，無(wú)需改變器件布局與測(cè)試電路，實(shí)現(xiàn)“無(wú)損測(cè)試"。同時(shí)，該系列線圈的絕緣性能優(yōu)異，可適配800V~1500V高壓測(cè)試環(huán)境，避免因高壓擊穿導(dǎo)致的測(cè)量故障與安全隱患。