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JFE，日本鋼鐵工程控股公司，成立于2002年，位于日本，AtsushiKakiki任董事，是一家開拓市場并創(chuàng)造新價值的貿(mào)易公司。[1]JFE的經(jīng)營體制由3家運營公司（JFE鋼鐵、JFE工程和JFE商事）組成，JFE主要業(yè)務包括包括風險管理和外部問責，同時負責為整個集團制定戰(zhàn)略
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日本 JFE 半導體晶圓高分辨率膜厚測量儀器產(chǎn)品參數(shù)
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
| 應用領域 | 綜合 |
日本 JFE 半導體晶圓高分辨率膜厚測量儀器詳細信息
日本 JFE 半導體晶圓高分辨率膜厚測量儀器 日本 JFE 半導體晶圓高分辨率膜厚測量儀器
產(chǎn)品概述
FDC-H1510 是 JFE 技術研究所推出的 FiDiCa 系列高分辨率機型，針對半導體晶圓（6 英寸）的圖案化膜層檢測需求開發(fā)。設備采用光譜干涉測量技術，實現(xiàn)非接觸式膜厚分布的高精度成像，兼顧全晶圓檢測與局部區(qū)域高分辨率測量，為半導體工藝開發(fā)與質(zhì)量控制提供可靠數(shù)據(jù)支持。
核心特點
- 超高分辨率測量，適配圖案化膜層設備空間分辨率可達約 5μm，能夠清晰呈現(xiàn)晶圓表面圖案化區(qū)域的膜厚分布細節(jié)，滿足半導體器件中微小結構的膜層均勻性檢測需求。
- 雙模式測量，兼顧效率與精度
局部測量：3mm 方形區(qū)域，約 30 秒完成測量；
全晶圓測量：支持 6 英寸晶圓全表面檢測，約 10 分鐘完成數(shù)據(jù)采集與處理；
20 萬點的測定點數(shù)，可在短時間內(nèi)完成大面積膜厚數(shù)據(jù)的采集與計算。
- 緊湊臺式設計，適配實驗室與研發(fā)場景設備采用可放置于桌面的緊湊型設計，無需大型機臺即可部署，適合半導體研發(fā)實驗室、工藝優(yōu)化場景使用，降低設備部署門檻與場地要求。
- 寬量程覆蓋，適配薄膜 / 超薄膜檢測測量膜厚范圍為 100nm~10μm，覆蓋半導體工藝中常見的超薄膜層（如光刻膠、SiO?膜、濺射膜等），滿足從研發(fā)到缺陷檢測的全流程應用。
規(guī)格參數(shù)
表格
| 參數(shù)項 | 規(guī)格詳情 |
|---|---|
| 型號 | FDC-H1510 |
| 測量膜厚范圍 | 100nm~10μm |
| 測量尺寸 | 局部：約 3mm 方形；全晶圓：約 150mm（6 英寸） |
| 測定點數(shù) | 約 20 萬點 |
| 空間分辨率 | 約 5μm |
| 測量速度 | 局部約 30 秒；全晶圓約 10 分鐘 |
主要應用場景
半導體晶圓圖案化膜層的膜厚分布測量；
光刻膠、SiO?膜、濺射膜等超薄膜層的均勻性檢測；
半導體工藝研發(fā)中的膜層缺陷分析與工藝優(yōu)化；
6 英寸晶圓的非接觸式質(zhì)量控制檢測。
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