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CSC
189
上海市
2025/7/27 20:56:04
產(chǎn)品簡介
SciDre高溫高壓光學浮區(qū)爐特點
● 采用垂直式光路設計
● 采用高照度短弧氙燈，多種功率規(guī)格可選
● 熔區(qū)溫度：>3000℃
● 熔區(qū)壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選
● 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選
● 采用光柵控制技術，加熱功率從0-100% 連續(xù)可調(diào)
● 樣品腔可實現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境
● 豐富的可升選件
SciDre高溫高壓光學浮區(qū)爐技術參數(shù)
熔區(qū)溫度：高達2000 - 3000℃以上
熔區(qū)壓力：高至10、50、100、150、300 bar可選
熔區(qū)真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可選
熔區(qū)氣氛：Ar、O2、N2等可選
氣體流量：0.25 – 1 L/min流量可控
氙燈功率：3kW至15kW可選
料棒臺尺寸：6.8mm或9.8mm可選
拉伸速率：0.1-50mm/h
調(diào)節(jié)速率：0.6 mm/s
拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可選
旋轉(zhuǎn)速率：0-70rpm
用電功率：400V三相 63A 50Hz
主機尺寸：330cm*163cm*92cm （不同規(guī)格略有差異）
用戶單位
中國科學院物理研究所
中國科學院固體物理研究所
北京師范大學
中山大學
南昌大學
上海大學
北京大學
北京航空航天大學
......
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您訪問的SciDre高溫高壓光學浮區(qū)爐產(chǎn)品信息，由上海麥科威半導體技術有限公司自行發(fā)布提供，產(chǎn)品價格為面議，如您想了解更多關于SciDre高溫高壓光學浮區(qū)爐型號、參數(shù)、用途等信息，歡迎咨詢。
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