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FPCRY-array
423
上海市
2026/1/29 11:37:22
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 | 組成要素 | 固體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 |
閃爍體陣列是采用閃爍晶體或閃爍單晶制作的閃爍體面陣,是二維閃爍陣列探測(cè)器的核心閃爍陣列和閃爍體陣列器件,Scintillation arrays,非常適合PET等射線位置靈敏探測(cè)應(yīng)用。
閃爍晶體陣列像素從幾個(gè)毫米到幾十個(gè)毫米不等,像素間隔一般小于0.05mm，***小的像素大小是0.3mm x 0.3mm。
閃爍晶體陣列特點(diǎn)
具有多種閃爍晶體可供選擇,YAG:Ce, YAP:Ce, LuAG:Ce), silicates, BGO, BaF2等
精密表面處理工藝
超高鍍膜水平
精密封裝和光導(dǎo)耦合技術(shù)
可耦合各種光電探測(cè)器或光電傳感器
閃爍體陣列,閃爍晶體陣列,閃爍陣列樣品
閃爍體陣列是采用閃爍晶體或閃爍單晶制作的閃爍體面陣,是二維閃爍陣列探測(cè)器的核心閃爍陣列和閃爍體陣列器件,Scintillation arrays,非常適合PET等射線位置靈敏探測(cè)應(yīng)用。
閃爍晶體陣列像素從幾個(gè)毫米到幾十個(gè)毫米不等,像素間隔一般小于0.05mm，***小的像素大小是0.3mm x 0.3mm。
閃爍晶體陣列特點(diǎn)
具有多種閃爍晶體可供選擇,YAG:Ce, YAP:Ce, LuAG:Ce), silicates, BGO, BaF2等
精密表面處理工藝
超高鍍膜水平
精密封裝和光導(dǎo)耦合技術(shù)
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移動(dòng)站：閃爍體陣列.閃爍單晶面陣
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