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孚光精儀
經(jīng)銷(xiāo)商
FPSEM-STE-EB71
1129
上海市
2026/2/4 16:05:13
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是按照“從實(shí)驗(yàn)室到工廠”的方法設(shè)計(jì)的電子束鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng),既適用于密集的研發(fā)活動(dòng),也適用于中試生產(chǎn)。
考慮到“提離”工藝的具體特點(diǎn),該電子束蒸發(fā)系統(tǒng)適用于直徑不超過(guò)200mm的單晶片以及安裝在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉積。
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)特點(diǎn)
•工藝室由不銹鋼制成,配有ConFlat密封件、集成壁水冷卻和基于500 l/s*離子泵的干式泵送系統(tǒng)
•系統(tǒng)設(shè)計(jì)在微波電子用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中得到了很好的驗(yàn)證
•采用專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的“掩?!奔夹g(shù),厚度不均勻性在直徑達(dá)200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通過(guò)在350-500mm范圍內(nèi)改變“基板到蒸發(fā)器”的距離來(lái)優(yōu)化材料消耗的能力;特別是,工作距離為350 mm時(shí),黃金消耗量為3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接觸電阻分別為0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm(在STE RTA100系統(tǒng)中接觸退火后)
•開(kāi)發(fā)了基于ITO薄膜的p-GaN透明接觸
•鋁沉積速率不低于60?/s
•W沉積速率不小于1?/s
從支架中心到鈦層∅180 mm(3×∅3''晶圓)的厚度分布,在STE EB71(旋轉(zhuǎn),“掩?!奔夹g(shù))獲得。
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
沉積腔體內(nèi)剩余壓力:<5×10-7Torr
達(dá)到預(yù)處理真空的時(shí)間(<5×10^-8Torr): 不超過(guò)20min
離子束(離子能20~300eV): 可選配
加熱處理晶圓數(shù)量::500 (900可選)
沉積腔烘培溫度: 150℃
同事處理晶圓: 6個(gè)@2英寸,3個(gè)@3英寸,1個(gè)@∅100mm,∅150mm,∅200mm
電子束蒸發(fā)陰極功率:6KW
加速電壓:8KV
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